微型磁控濺射鍍膜設(shè)備微型磁控濺射
這款來(lái)自美國(guó)的微型磁控濺射系統(tǒng)滿(mǎn)足研究所和研發(fā)部門(mén)對(duì)真空薄膜沉積的性能要求，占用空間小，具有超高的性?xún)r(jià)比，可以向客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
微型磁控濺射鍍膜設(shè)備特點(diǎn)
小容量，快速重復(fù)工作流程；
活性沉積區(qū)域最大為200nm（8英寸）直徑；
適應(yīng)多種襯底；
可配備多個(gè)濺射源（最多至4個(gè)）；
連續(xù)沉積模式或聯(lián)合沉積模式；
不同工作氣體控制；
共焦陰極分布；
50mm,75mm, 或100mm磁控濺射源；
內(nèi)置陰極角傾斜；
陰極擋板；
直流,脈沖，高頻（HG或MF）電源；
襯底，加熱，冷卻，或者RF/DC偏壓；
可添加預(yù)抽室。

這款來(lái)自美國(guó)的微型磁控濺射系統(tǒng)滿(mǎn)足研究所和研發(fā)部門(mén)對(duì)真空薄膜沉積的性能要求，占用空間小，具有超高的性?xún)r(jià)比，可以向客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。

參考：

磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽(yáng)極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使氬氣發(fā)生電離。

優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

常用的制備磁性薄膜的方法是磁控濺射法。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來(lái)沉積在基底表面上形成薄膜。通過(guò)更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時(shí)間，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點(diǎn)。