測試根據(jù)半導(dǎo)體P-N結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C~t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。

　　也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

　　深能級瞬態(tài)譜儀功能特色：

　　1、測試功能多樣。

　　2、測試溫度范圍大。

　　3、包括傅里葉轉(zhuǎn)換，Laplace轉(zhuǎn)換和多指數(shù)擬合等技術(shù)。

　　4、具有較高的能量分辨率。